1. 產(chǎn)品介紹

兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝

電的適用溫度范圍寬，-150°C至400°C

ICP源尺寸為65mm，180mm，300mm

2. 應(yīng)用方向

III-V族材料的刻蝕工藝

固體激光器InP刻蝕

VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕

射頻器件低損傷GaN刻蝕

硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝

類(lèi)金剛石（DLC）沉積

二氧化硅和石英刻蝕

用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝，可處理封裝好的芯片、 裸晶片以及200mm晶圓

沉積高質(zhì)量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化等諸多其它用途

用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕

3. 公司介紹

深圳市矢量科學(xué)儀器有限公司是集半導(dǎo)體儀器裝備代理及技術(shù)服務(wù)的國(guó)家技術(shù)企業(yè)。

致力于提供半導(dǎo)體制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導(dǎo)體分析測(cè)試設(shè)備、半導(dǎo)體光電測(cè)試儀表及相關(guān)儀器裝備維護(hù)、保養(yǎng)、售后技術(shù)支持及實(shí)驗(yàn)室整體服務(wù)。

公司已授實(shí)用新型權(quán)利 29 項(xiàng)，軟件著作權(quán) 14 項(xiàng)，是國(guó)家技術(shù)企業(yè)、創(chuàng)新型中小企業(yè)、科技型中小企業(yè)、規(guī)模以上工業(yè)企業(yè)。如有需要半導(dǎo)體設(shè)備和進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備的朋友歡迎電話咨詢(xún)我們！